• فهرست مقالات


      • دسترسی آزاد مقاله

        1 - طراحی و ساخت رله‌ی خطای امپدانس بالا بر اساس تحلیل هارمونیکی برای شبکه‌ی توزیع 33 کیلوولت شهرستان اهواز
        مهدي منادي سیدقدرت‌اله سیف‌السادات رضا کیانی‌نژاد محمد بهاری پور
        وقوع خطاهای امپدانس بالا (HIF) در شبکه‌های توزیع برق، خطرات جانی و مالی عمده‌ای را می‌تواند به همراه داشته باشد. از سوی دیگر، تشخیص این قبیل خطاها معمولاً توسط رله‌های اضافه جریان که معمولاً در سیستم‌های توزیع مورد استفاده قرار می‌گیرند، قابل انجام نیست و لازم است الگور چکیده کامل
        وقوع خطاهای امپدانس بالا (HIF) در شبکه‌های توزیع برق، خطرات جانی و مالی عمده‌ای را می‌تواند به همراه داشته باشد. از سوی دیگر، تشخیص این قبیل خطاها معمولاً توسط رله‌های اضافه جریان که معمولاً در سیستم‌های توزیع مورد استفاده قرار می‌گیرند، قابل انجام نیست و لازم است الگوریتم‌های خاصی برای آن طراحی و پیشنهاد گردد. در این مقاله، ابتدا ماهیت این خطاها و روش‌های شبیه‌سازی آنها مورد بررسی قرار گرفته و سپس با بررسی روش‌های قابل استفاده جهت تشخیص آنها، روشی مبتنی بر تحلیل‌های هارمونیکی ارائه شده است. در این روش، رله پیشنهادی پس از وقوع خطا، هارمونیک‌های مورد نیاز را استخراج نموده و با الگوریتمی که از قبل برای آن برنامه‌ریزی شده است، وقوع خطا را تشخیص می‌دهد. در این مقاله، نحوه ساخت رله پیشنهادی و بخش‌های مختلف سخت‌افزار آن توضیح داده شده است. همچنین نرم‌افزار این رله برای حالت‌های گوناگون وقوع خطاهای امپدانس بالا تحت آزمایش قرار گرفته و سخت‌افزار مربوط به آن نیز در آزمون آزمایشگاهی در تشخیص این خطاها موفق بوده است. با توجه به این که سخت‌افزار مورد استفاده در این رله می‌تواند با تغییرات اندکی برای سایر رله‌ها نیز مورد استفاده قرار گیرد، جزئیات مربوط به طراحی سخت‌افزار هم در این مقاله بیان شده است. جزييات مقاله
      • دسترسی آزاد مقاله

        2 - رویکردی جدید برای ارزیابی عملکرد توربین‌ها و مزارع بادی به کمک شاخص توسعه‌یافته ضریب ظرفیت- مطالعه‌ی موردی مزرعه بادی منجیل
        سید حامد دلخوش اباتری مصطفی پرنیانی
        امروزه با توجه به رشد روزافزون سهم انرژی بادی در تولید انرژی الکتریکی، وجود شاخص‌هایی به منظور ارزیابی عملکرد توربین‌ها و مزارع بادی از اهمیت بالایی برخوردار است. چنین شاخص‌هایی می‌توانند منجر به استفاده بهینه‌تر از سرمایه‌گذاری انجام‌شده و همچنین توسعه کارامدتر مزارع م چکیده کامل
        امروزه با توجه به رشد روزافزون سهم انرژی بادی در تولید انرژی الکتریکی، وجود شاخص‌هایی به منظور ارزیابی عملکرد توربین‌ها و مزارع بادی از اهمیت بالایی برخوردار است. چنین شاخص‌هایی می‌توانند منجر به استفاده بهینه‌تر از سرمایه‌گذاری انجام‌شده و همچنین توسعه کارامدتر مزارع موجود شوند. با وجود این که شاخص ضریب ظرفیت از پتانسیل لازم برای چنین ارزیابی عملکردی برخوردار است، نسخه سنتی فرمولاسیون آن با محدودیت‌های بسیاری روبه‌رو است. این پژوهش با توسعه‌دادن مفهوم ضریب ظرفیت، فرمولاسیونی جامع ارائه کرده که به کمک آن می‌توان این شاخص را بر اساس نتایج اندازه‌گیری و شبیه‌سازی برای یک توربین- ژنراتور، مجموعه‌ای از توربین- ژنراتورهای متصل به یک فیدر یا باس‌بار و کل توربین- ژنراتورهای یک مزرعه بادی محاسبه کرد. این فرمولاسیون امکان بررسی ضریب ظرفیت را در دوره‌های زمانی (سالانه، فصلی و ماهانه) و بازه‌های محاسبه‌ مختلف (کل ساعات، ساعت‌های خاص و ساعتی) فراهم کرده است. به عنوان یک مطالعه موردی، عملکرد انواع توربین- ‌ژنراتورهای نصب‌شده در مزرعه بادی منجیل بر اساس نتایج اندازه‌گیری در یک بازه زمانی بهره‌برداری بررسی شده و با نتایج شبیه‌سازی این توربین- ‌ژنراتورها و همچنين با انواع جدیدتر سرعت متغیر، مقایسه شده است. همچنین ضریب ظرفیت فیدرها، باس‌‌بارها و کل مزرعه به کمک نتایج شبیه‌سازی و نتایج اندازه‌گیری توان خروجی فیدرها در یک بازه زمانی بهره‌برداری، محاسبه شده و نتایج مستخرج از تحلیل این ضرایب ظرفیت ارائه شده است. نتایج حاصل از مطالعات عددی، نشان از کارامدی رویکرد جدید ارائه‌شده برای ارزیابی عملکرد توربین‌ها و مزارع بادی به کمک شاخص توسعه‌یافته ضریب ظرفیت دارد. جزييات مقاله
      • دسترسی آزاد مقاله

        3 - بررسی جریان نشتی و دمای سطح مقره‌ کامپوزیتی 230 کیلوولت در شرایط رطوبت و ریزگرد
        سامان محمدنبی خسرو رحمانی
        با چگالش رطوبت روی سطح مقره‌های آلوده به ریزگرد، هدایت الکتریکی مقره بالا رفته و به تبع آن جریان نشتی روی سطح ایجاد شده و باعث از کارافتادگی مقره‌ها می‌شود. چگالش رطوبت روی سطح، در اثر مکانیزم سردشدن تشعشعی و عمدتاً اوایل صبح و در فصل زمستان اتفاق می‌افتد. در این حالت د چکیده کامل
        با چگالش رطوبت روی سطح مقره‌های آلوده به ریزگرد، هدایت الکتریکی مقره بالا رفته و به تبع آن جریان نشتی روی سطح ایجاد شده و باعث از کارافتادگی مقره‌ها می‌شود. چگالش رطوبت روی سطح، در اثر مکانیزم سردشدن تشعشعی و عمدتاً اوایل صبح و در فصل زمستان اتفاق می‌افتد. در این حالت دمای سطح مقره از نقطه شبنم کمتر است. در این مقاله ضمن بررسی مکانیزم سردشدن تشعشعی، یک نمونه ریزگرد واقعی جمع‌آوری شده از کانون ریزگرد، آنالیز شیمیایی و هدايت الكتريكي آن‌ در حالت مرطوب اندازه‌گیری شده است. با شبیه‌سازی مقره کامپوزیتی kV 230 آلوده به ریزگرد در نرم‌افزار کامسول، جریان نشتی به دست آمده و با آزمون تجربی صحت‌سنجی شده است. همچنین با استفاده از روابط انتقال حرارت، دمای سطح مقره هنگام عبور جریان نشتی تعیین و با مقادیر ثبت‌شده توسط دوربین ترموویژن در هنگام آزمون، مقایسه گردیده است. نتایج نشان می‌دهد که جریان نشتی و دمای سطح مقره با افزایش هدایت و ضخامت لایه آلودگی افزایش یافته و به تبع آن احتمال از کار افتادگی مقره نیز بالا می‌رود. آزمون تجربی نشان داد که شبیه‌سازی مقره با نرم‌افزارهای تجاری موجود، می‌تواند روش قابل اعتمادی برای تحلیل پیش‌دستانه جهت ارزیابی مقره‌ها به شمار رود. جزييات مقاله
      • دسترسی آزاد مقاله

        4 - ارزیابی کارآیی سلول حافظه SRAM مبتنی بر ترانزیستورهای TMDFET در مقایسه با فناوری Si-MOSFET
        فرزانه ایزدی نسب مرتضی  قلی پور
        ترانزیستورهای دی-کلکوژناید فلزات واسطه (TMDFET) از جمله افزاره‌های نوظهور هستند که در سال‌های اخیر مورد توجه محققین قرار گرفته اند. در این مقاله ابتدا اثر تغییر پارامترها، دما و منبع تغذیه بر عملکرد ترانزیستورهای TMDFET در مقایسه با تکنولوژی Si-MOSFET مورد بررسی قرار گر چکیده کامل
        ترانزیستورهای دی-کلکوژناید فلزات واسطه (TMDFET) از جمله افزاره‌های نوظهور هستند که در سال‌های اخیر مورد توجه محققین قرار گرفته اند. در این مقاله ابتدا اثر تغییر پارامترها، دما و منبع تغذیه بر عملکرد ترانزیستورهای TMDFET در مقایسه با تکنولوژی Si-MOSFET مورد بررسی قرار گرفته است، نتایج بیانگر میزان حساسیت کمتر TMDFET به این تغییرات در مقایسه با افزارهSi-MOSFET است. در ادامه با انتخاب مناسب نسبت‌‌‌های ابعاد ترانزیستورها، به ارزیابی کارآیی سلول حافظه دسترسی تصادفی استاتیک شش-ترانزیستوری پایه مبتنی بر TMDFET در مقایسه با فناوری Si-MOSFET در تکنولوژی 16nm پرداخته شده است. شبیه‌سازی‌‌ها در دمای اتاق، ولتاژ تغذیه 0.7 ولت و شرایط یکسان برای هر دو افزارهTMDFET و Si-MOSFET در نظر گرفته شده است. نتایج حاصل از شبیه‌سازی‌‌ها نشان می‌دهند که SRAM مبتنی برترانزیستورTMDFET دارای 44/29%WTP بیشتر و به همین نسبت توانایی نوشتن بیشتر، 49/49% WTI×WTV بیشتر و به همین نسبت حاشیه نویز نوشتن بالاتر و 48/29% تاخیر خواندن کمتر است.بهعبارتدیگریک سلول SRAM مبتنی بر TMDFET از نظر توانایی نوشتن، حاشیه نویز استاتیکی خواندن وتاخیرخواندن عملکرد بهتری نسبت بهSi-MOS-SRAM از خود نشان می‌‌دهد. جزييات مقاله
      • دسترسی آزاد مقاله

        5 - جایابی بهینه سیستم‌های ذخیره‌ساز انرژی با در نظرگیری عدم قطعیت‌های تولید منابع تجدیدپذیر، بار و قیمت برق‌
        نوید تقی زادگان کلانتری یوسف فنونی مرتضی آهنگری حساس
        کاهش هزینه‌های شبکه و افزایش درآمد، یکی از اهداف مهم اپراتورهای شبکه می‌باشد. در این مقاله، مسأله جایابی و تعیین اندازه ذخیره‌سازهای انرژی مورد مطالعه قرار گرفته است. جایابی در جهت بیشینه‌کردن سود به دست آمده از تأسیس واحدهای تولید پراکنده و بهره‌برداری از ذخیره‌سازها ا چکیده کامل
        کاهش هزینه‌های شبکه و افزایش درآمد، یکی از اهداف مهم اپراتورهای شبکه می‌باشد. در این مقاله، مسأله جایابی و تعیین اندازه ذخیره‌سازهای انرژی مورد مطالعه قرار گرفته است. جایابی در جهت بیشینه‌کردن سود به دست آمده از تأسیس واحدهای تولید پراکنده و بهره‌برداری از ذخیره‌سازها انجام می‌پذیرد. مؤلفه‌های تشکیل‌دهنده تابع هدف مسأله جایابی شامل سود به دست آمده از بهره‌برداری واحد تولید پراکنده، سود به دست آمده از کاهش تلفات توان شبکه، هزینه نصب ذخیره‌ساز انرژی و سود به دست آمده از کاهش انرژی خریداری‌شده از شبکه بالادست می‌باشد. مدل به کار رفته به منظور جایابی، مبتنی بر رفتار احتمالاتی تابش خورشید، مصرف‌کننده‌های انرژی و اپراتورهای بازار برق است. به منظور مدل‌سازی طبیعت تصادفی توان خروجی نیروگاه‌های خورشیدی از تابع چگالی احتمال و برای مدل‌سازی بار و قیمت برق از روش سناریوبندی استفاده شده و شبیه‌سازی‌ها با استفاده از نرم‌افزار Matlab صورت گرفته است. در این مقاله، بالابردن قابلیت شبکه با بهره‌برداری از واحدهای تولید پراکنده و ذخیره‌سازهای انرژی مسأله اصلی است. جزييات مقاله
      • دسترسی آزاد مقاله

        6 - تخمین حالت سیستم‌های غیر خطی با استفاده از فیلتر کالمن مکعبی جمع گوسی بر اساس قانون شعاعی- کروی سیمپلکس
        محمدامین احمدپور کاخک بهروز صفری نژادیان
        در این مقاله الگوریتم جدیدی از فیلترهای جمع گوسی برای تخمین حالت سیستم‌های غیر خطی ارائه شده است. روش پیشنهادی شامل اجرای چند فیلتر کالمن مکعبی به شکل موازی است به صورتی که هر کدام از این فیلترها بر اساس قوانین شعاعی- کروی سیمپلکس پیاده‌سازی می‌شوند. در این روش تابع چگا چکیده کامل
        در این مقاله الگوریتم جدیدی از فیلترهای جمع گوسی برای تخمین حالت سیستم‌های غیر خطی ارائه شده است. روش پیشنهادی شامل اجرای چند فیلتر کالمن مکعبی به شکل موازی است به صورتی که هر کدام از این فیلترها بر اساس قوانین شعاعی- کروی سیمپلکس پیاده‌سازی می‌شوند. در این روش تابع چگالی احتمال حالت به صورت مجموع وزنی از چند تابع گوسی است که مقادیر میانگین، کواریانس و همچنین ضرایب وزنی این توابع گوسی به صورت بازگشتی و در طول زمان محاسبه می‌شوند و هر کدام از فیلترهای کالمن مکعبی نیز مسئول به روز رسانی یکی از این توابع هستند. در نهایت عملکرد فیلتر پیشنهادی با استفاده از دو مسأله تخمین حالت غیر خطی مورد بررسی قرار گرفته و نتایج آن با فیلترهای غیر خطی مرسوم مقایسه می‌شود. شبیه‌سازی‌های صورت‌گرفته نشان از دقت مناسب الگوریتم پیشنهادی در تخمین حالت سیستم‌های غیر خطی دارد. جزييات مقاله
      • دسترسی آزاد مقاله

        7 - طراحی و ساخت یک تزویج کننده مایکرواستریپی فشرده با حذف هارمونیک‌های ناخواسته به کمک تشدیدکننده‌های T شکل و امپدانس پله‌ای
        سبحان روشنی سمیه کریمی سعید روشنی
        در این مقاله با استفاده از تشدیدکننده‌های T شکل و امپدانس پله‌ای، یک تزویج‌کننده میکرواستریپی جدید با فرکانس کاری یک گیگاهرتز ارائه شده است. تزویج‌کننده پیشنهادی نسبت به تزویج‌کننده‌های پیشین از اندازه کوچک‌تری برخوردار بوده و عملکرد مطلوبی از خود نشان می‌دهد. تزویج‌کنن چکیده کامل
        در این مقاله با استفاده از تشدیدکننده‌های T شکل و امپدانس پله‌ای، یک تزویج‌کننده میکرواستریپی جدید با فرکانس کاری یک گیگاهرتز ارائه شده است. تزویج‌کننده پیشنهادی نسبت به تزویج‌کننده‌های پیشین از اندازه کوچک‌تری برخوردار بوده و عملکرد مطلوبی از خود نشان می‌دهد. تزویج‌کننده طراحی‌شده در مقایسه با تزویج‌کننده شاخه‌ای متداول ‏دارای 65% کاهش سایز می‌باشد و همچنین هارمونیک‌های دوم تا هفتم را نیز حذف می‌کند. تزویج‌کننده طراحی‌شده بر روی زیرلایه 5880 RT/duroid با ثابت دی‌الکتریک 2/2، ضخامت mil 31 و تانژانت تلفات 0009/0 ساخته شده است. نتایج اندازه‌گیری و شبیه‌سازی تطبیق خوبی دارند که نشان از صحت طراحی قطعه دارد. جزييات مقاله