• صفحه اصلی
  • کاهش احتمال خطای نوشتن در حافظه‌های STT-RAM مبتنی بر اثر دمایی و با بهره‌گیری از روش دوگان‌سازی منابع ولتاژ

اشتراک گذاری

آدرس مقاله


کد مقاله : 13981219235907 بازدید : 1178 صفحه: 317 - 321

20.1001.1.16823745.1398.17.4.16.5

نوع مقاله: پژوهشی

مقالات مرتبط