افزایش بهره و پهنای باند تقویت‌کننده توزیع‌شده با کاهش تلفات و اثرات خازن‌های پارازیتی خط انتقال گیت
محورهای موضوعی : مهندسی برق و کامپیوتر
سید امین علوی
1
(دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد)
سیداحسان علوی
2
(دانشگاه آزاد اسلامی واحد بجنورد)
احمد حکیمی
3
(دانشگاه شهید باهنر کرمان)
کلید واژه: تقویت‌کننده توزیع‌شده Distributed Amplifier مقاومت منفی خازن منفی,
چکیده مقاله :
در این مقاله یک ساختار جدید شامل خازن و مقاومت منفی، جهت افزایش بهره و پهنای باند تقویت‌کننده‌های توزیع‌شده ارائه شده است. ساختار ارائه‌شده در خط انتقال گیت تقویت‌کننده توزیع‌شده مورد استفاده قرار گرفته و مدار حاصل در نرم‌افزار Advanced Design System با استفاده از مدل µm CMOS 13/0 شبیه‌سازی شده است. خازن منفی در خط انتقال گیت اثرات خازن‌های پارازیتی سلول‌های بهره را کاهش داده و پهنای باند تقویت‌کننده را افزایش مي‌دهد و در نتیجه موجب افزایش بهره ولتاژ مدار می‌شود. مقاومت منفی ایجادشده تلفات خطوط انتقال را کاهش و پهنای باند را افزایش می‌دهد. بهره ولتاژ شبیه‌سازی شده dB 15 با تغییر بهره dB 5/0± در باند فرکانسی GHz 49- 5/0 مي‌باشد. ورودی و خروجی مدار با مقاومت Ω 50 تطبیق یافته‌اند و تلفات برگشتی از ورودی و خروجی به ترتیب زیر dB 15/8- و dB 2/9- است. این مدار دارای عدد نویزی کمتر از dB 6/4 و توان مصرفی آن mW 99 از منبع تغذیه V 8/1 است.
In this paper, a new structure composed of a negative capacitance and resistance is presented in order to increase gain and bandwidth of distributed amplifiers. The proposed structure is used at the gate transmission line of the distributed amplifier and the obtained circuit has been simulated using 0.13µm CMOS model. The negative capacitance at the gate transmission line decreases parasitic effects of gain cells and increases amplifier bandwidth and accordingly increases voltage gain. The generated negative resistance decreases transmission lines losses and increases bandwidth. Simulated voltage gain is 15dB with ±0.5 dB gain flatness over 0.5-49 GHz frequency band. Circuit input and output are matched with 50Ω resistance; and input and output return losses are -8.15 dB and -9.2 dB, respectively. This circuit has a noise figure less than 4.6 and its power consumption is 99 mW from 1.8 V power supply.
[1] K. Chen and C. Wang, "A 3.1-10.6 GHz CMOS cascaded two-stage distributed amplifier for ultra-wideband application," in Proc. IEEE Asia-Pacific Conf. on Advanced System Integrated Circuits, AP-ASIC2004, vol. ???, pp. 296-299, 4-5 Aug. 2004.
[2] J. F. Chang and Y. S. Lin, "Low-power, high-gain and low-noise CMOS distributed amplifier for UWB systems," Electronics Letters, vol. 45, no. 12, pp. 634-636, Jun. 2009.
[3] M. Forouzanfar and S. Naseh, "High gain CMOS UWB LNA employing thermal noise cancellation," in Proc. IEEE Int. Conf. on Ultra-Wideband, ICUWB'09, pp. 118-122, Vancouver, Canada, 9-11 Sep. 2009.
[4] P. Chen, P. Huang, J. Kuo, and H. Wang, "A 22-31 GHz distributed amplifier based on high-pass transmission lines using 0.18 µm CMOS technology," IEEE Microwave and Wireless Components Letters, vol. 21, no. 3, pp. 160-162, Mar. 2011.
[5] M. Parlak and J. Buckwalter, "A low - power dual - channel distributed amplifier for multielement receivers," IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, vol. 59, no. 2, pp. 435-442, Feb. 2011.
[6] K. Moez and I. Elmasry, "A low-noise CMOS distributed amplifier for ultra-wide-band applications," IEEE Trans. on Circuits and Systems - II: Express Briefs, vol. 55, no. 2, pp. 126-130, Feb. 2008.
[7] K. Entesari, A. Tavakoli, and A. Helmy, "CMOS distributed amplifiers with extended flat bandwidth and improved input matching using gate line with coupled inductors," IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, vol. 57, no. 12, pp. 2862-2871, Dec. 2009.
[8] X. Guan and C. Nguyen, "Low-power-consumption and high-gain CMOS distributed amplifiers using cascade of inductively coupled common-source gain cells for UWB systems," IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, vol. 54, no. 8, pp. 3278-3283, Aug. 2006.
[9] A. Ghadiri and K. Moez, "Gain-enhanced distributed amplifier using negative capacitance," IEEE Trans. on Circuits and Systems-I: Regular Papers, vol. 57, no. 11, pp. 2834-2843, Nov. 2010.
[10] C. Lee, L. Cho, and S. Liu, "0.1-25.5-GHz differential cascaded-distributed amplifier in 0.18-μm CMOS technology," in Proc. Asian Solid-State Circuits Conf., pp. 129-132, 1-3 Nov. 2005.
[11] H. Shigematsu, M. Sato, T. Hirose, F. Brewer, and M. Rodwell, "40 Gb/s CMOS distributed amplifier for fiber-optic communication systems," in Proc. IEEE Int. Solid-State Circuits Conf., vol. 1, pp. 476-540, 15-19 Feb. 2004.
[12] K. Moez and M. I. Elmasry, "A 10 dB 44 GHz loss - compensated CMOS distributed amplifier," in Proc. IEEE Int. Solid-State Circuits Conf., vol. 1, pp. 548-549, San Francisco, CA, US, Feb. 2007.
[13] S. Galal and B. Razavi, "40-Gb/s amplifier and ESD protection circuit in 0.18-μm CMOS technology," IEEE J. of Solid-State Circuits, vol. 39, no. 12, pp. 2389-2396, Dec. 2004.
[14] K. Moez and M. Elmasry, "A new loss compensation technique for CMOS distributed amplifiers," IEEE Trans. on Circuits and Systems - II: Express Briefs, vol. 56, no. 3, pp. 185-189, Mar. 2009.
[15] B. S. Virdee, A. S. Virdee, and B. Y. Benuamin, Broadband Microwave Amplifiers, Artech House, Inc., 2004.