مرکز منطقه ای اطلاع رسانی علوم و فناوری فصلنامه مهندسی برق و مهندسی کامپيوتر ايران 16823745 21 4 2024 3 17 Implementation of Comparator with Four-Level Input and Three-level output Based on Carbon Nano Tube Field Effect Transistor Technology پیاده‌سازی مقایسه‌کننده با ورودی چهارسطحی و خروجی سه‌سطحی بر پایه تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی 295 301 fa ابراهیم فرجی گنبری دانشگاه شهید مدنی آذربایجان موسی یوسفی دانشگاه شهید مدنی آذربایجان خلیل منفردی دانشگاه شهید مدنی آذربایجان 2023 3 17 Due to the increase of processing data, processing systems should be designed to occupy less space. The enlargement of the processing systems has caused the growth of the data size, on the other hand, the problems of miniaturization of metal-oxide semiconductor field effect transistor MOSFET have faced many problems for the designers of processing circuits, the idea of replacing binary processing circuits with multi-valued level processing circuits. It reduces connections between systems and reduces space consumption. Because the implementation of multi-level processing circuits with MOSFET technology is very complicated and problematic, a suitable alternative for MOSFET is carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) technology, which has many advantages such as the possibility of making transistors It has a different threshold voltage, which reduces design challenges in the implementation of multi-level systems. In this article, the structure of the transistor level of single-digit quaternary and multi-digit comparators is presented. Transistor level circuits are presented along with circuit techniques. The simulation results also show that the amount of propagation delay and power consumption in the single-digit quaternary comparator is 17.3 picoseconds and 4.59 microwatts, respectively, and the PDP index of this comparator is 79.2 aJ. All simulation results of proposed comparators in this article have been obtained using carbon nanotube field effect transistors and 32 nm technology in HSPICE software. با توجه به بزرگ‌شدن داده‌های پردازشی، سیستم‌های پردازشی باید طوری طراحی شوند که فضای کمتری را اشغال کنند. بزرگ‌شدن سیستم‌های پردازشی، باعث رشد اندازه داده‌ها شده و از طرفی مشکلات کوچک‌سازی ترانزیستورهای اثر میدانی فلز عایق نیمه‌هادی طراحان مدارات پردازشی را با مشکلات عدیده‌ای مواجه کرده است. ایده جایگزینی مدارهای پردازشی باینری با مدارهای پردازشی چندسطحی باعث کاهش اتصالات بین سیستم‌ها و فضای مصرفی می‌شود. چون پیاده‌سازی مدارهای پردازشی چندسطحی با تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدانی فلز عایق نیمه‌هادی، بسیار پیچیده و مشکل‌آفرین است، جایگزین مناسب برای ترانزیستور اثر میدانی فلز عایق نیمه‌هادی، فناوری ترانزیستورهای نانولوله کربنی است که مزایای بسیاری همانند امکان ساخت ترانزیستور با ولتاژ آستانه متفاوت دارد و چالش‌های طراحی را در پیاده‌سازی سیستم‌های چندسطحی کاهش می‌دهد. این مقاله، ساختار سطح ترانزیستوری مقایسه‌کننده‌های چهارسطحی تک‌رقمی و چندرقمیو مدارهای سطح ترانزیستوری به همراه تکنیک‌های مداری را ارائه می‌کند. نتایج شبیه‌سازی نیز نشان می‌دهند که مقدار تأخیر انتشار و توان مصرفی در مقایسه‌کننده تک‌رقمی چهار‌سطحی به ترتیب 3/17 پیکوثانیه و 59/4 میکرووات و شاخص PDPاین مقایسه‌کننده 2/79 آتوژول است. همه نتایج شبیه‌سازی مقایسه‌کننده‌های چهارسطحی در این مقاله با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی و تکنولوژی 32 نانومتر در نرم‌افزار HSPICEبه‌دست آمده است. http://ijece.org/fa/Article/Download/41631