﻿<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<ArticleSet>
  <ARTICLE>
    <Journal>
      <PublisherName>مرکز منطقه ای اطلاع رسانی علوم و فناوری</PublisherName>
      <JournalTitle>فصلنامه مهندسی برق و مهندسی کامپيوتر ايران</JournalTitle>
      <ISSN>16823745</ISSN>
      <Volume>13</Volume>
      <Issue>3</Issue>
      <PubDate PubStatus="epublish">
        <Year>2015</Year>
        <Month>12</Month>
        <Day>21</Day>
      </PubDate>
    </Journal>
    <ArticleTitle>CMOS Low-Dropout Voltage Regulator with Controlled Pass Transistor</ArticleTitle>
    <VernacularTitle>تنظیم‌کننده ولتاژ با افت کم CMOS با کنترل تطبیقی ترانزیستور عبوری</VernacularTitle>
    <FirstPage>143</FirstPage>
    <LastPage>150</LastPage>
    <ELocationID EIdType="doi" />
    <Language>fa</Language>
    <AuthorList>
      <Author>
        <FirstName>فریما</FirstName>
        <LastName>قراغان‌آبادی</LastName>
        <Affiliation></Affiliation>
      </Author>
      <Author>
        <FirstName>عليرضا</FirstName>
        <LastName>صابرکاري</LastName>
        <Affiliation></Affiliation>
      </Author>
    </AuthorList>
    <History PubStatus="received">
      <Year>2015</Year>
      <Month>11</Month>
      <Day>30</Day>
    </History>
    <Abstract>This paper presents a low quiescent current low-dropout voltage regulator (LDO) with controlled pass transistor which can work either with on-chip or off-chip output capacitor. The pass transistor of the proposed LDO has lower width in low load condition and has higher width for moderate to heavy load current and the LDO topology transforms between a two-stage structure in low load current and a three-stage one in moderate to high load current. The proposed LDO topology is designed and simulated in HSPICE in a 0.35 µm CMOS process to provide a 2.8 V output voltage for a 3 V input voltage and is capable to deliver a stable output current in the range of 0-100 mA to the load with a 100 pF on-chip output capacitor while its quiescent current is only 7.5 µA. Without using the adaptively-controlled pass transistor, the maximum output variations of the LDO to the 0-100 mA load transient is 540 mV and its settling time is 11 µs, while using this technique decreases the output voltage variations and settling time to 280 mV and 6.5 µs, respectively.</Abstract>
    <OtherAbstract Language="FA">در این مقاله یک تنظیم‌کننده ولتاژ با افت کم (LDO) با قابلیت کار هم با خازن درون‌تراشه‌ای و هم برون‌تراشه‌ای و با جریان خاموشی پایین معرفی شده كه در آن با توجه به میزان جریان بار، اندازه ترانزیستور عبوری به صورت تطبیقی کنترل می‌شود. ترانزیستور عبوری در ساختار مدار پیشنهادی به ازای جریان‌های بار پایین اندازه بسیار کوچک‌تری نسبت به جریان‌های بار زیاد داشته و تنظیم‌کننده بین دو ساختار دوطبقه در جریان بار کم، و سه‌طبقه در جریان بار زیاد تغییر وضعیت می‌دهد. تنظیم‌کننده ولتاژ LDO پیشنهادی در تکنولوژی
 µm 35/0 CMOS برای ایجاد ولتاژ خروجی V 8/2 به ازای ولتاژ ورودی V 3 طراحی و شبیه‌سازی شده و قابلیت جریان‌دهی به بار در محدوده mA 0 تا mA 100 را به ازای خازن خروجی درون‌تراشه‌ای pF 100 دارد، در حالی که جریان خاموشی آن در شرایط بی‌باری فقط µA 5/7 است. بدون استفاده از تکنیک کنترل تطبیقی ترانزیستور عبوری، حداکثر میزان تغییرات ولتاژ خروجی به ازای تغییرات جریان بار از mA 0 تا mA 100 برابر mV 540 و مدت زمان گذار آن µs 11 بوده که با استفاده از تکنیک پیشنهادی این مقادیر به mV 280 و µs 5/6 کاهش می‌یابد. همچنین استفاده از ترانزیستور عبوری با اندازه کوچک در جریان‌های بار کم منجر به بهبود پایداری تنظیم‌کننده در مقایسه با ساختارهای متداول شده است.</OtherAbstract>
    <ObjectList>
      <Object Type="Keyword">
        <Param Name="Value">ترانزیستور عبوری
تنظیم‌کننده ولتاژ با افت کم (LDO)
جریان خاموشی
مدیریت توان</Param>
      </Object>
    </ObjectList>
    <ArchiveCopySource DocType="Pdf">http://ijece.org/fa/Article/Download/28131</ArchiveCopySource>
  </ARTICLE>
</ArticleSet>