مرکز منطقه ای اطلاع رسانی علوم و فناوری فصلنامه مهندسی برق و مهندسی کامپيوتر ايران 16823745 12 3 2014 12 21 Bandwidth and Gain Extension Technique for CMOS Distributed Amplifiers Using Negative Capacitance and Resistance Cell افزایش بهره و پهنای باند تقویت‌کننده توزیع‌شده با کاهش تلفات و اثرات خازن‌های پارازیتی خط انتقال گیت 135 140 fa سید امین علوی سیداحسان علوی احمد حکیمی 2015 11 30 In this paper, a new structure composed of a negative capacitance and resistance is presented in order to increase gain and bandwidth of distributed amplifiers. The proposed structure is used at the gate transmission line of the distributed amplifier and the obtained circuit has been simulated using 0.13µm CMOS model. The negative capacitance at the gate transmission line decreases parasitic effects of gain cells and increases amplifier bandwidth and accordingly increases voltage gain. The generated negative resistance decreases transmission lines losses and increases bandwidth. Simulated voltage gain is 15dB with ±0.5 dB gain flatness over 0.5-49 GHz frequency band. Circuit input and output are matched with 50Ω resistance; and input and output return losses are -8.15 dB and -9.2 dB, respectively. This circuit has a noise figure less than 4.6 and its power consumption is 99 mW from 1.8 V power supply. در این مقاله یک ساختار جدید شامل خازن و مقاومت منفی، جهت افزایش بهره و پهنای باند تقویت‌کننده‌های توزیع‌شده ارائه شده است. ساختار ارائه‌شده در خط انتقال گیت تقویت‌کننده توزیع‌شده مورد استفاده قرار گرفته و مدار حاصل در نرم‌افزار Advanced Design System با استفاده از مدل µm CMOS 13/0 شبیه‌سازی شده است. خازن منفی در خط انتقال گیت اثرات خازن‌های پارازیتی سلول‌های بهره را کاهش داده و پهنای باند تقویت‌کننده را افزایش مي‌دهد و در نتیجه موجب افزایش بهره ولتاژ مدار می‌شود. مقاومت منفی ایجادشده تلفات خطوط انتقال را کاهش و پهنای باند را افزایش می‌دهد. بهره ولتاژ شبیه‌سازی شده dB 15 با تغییر بهره dB 5/0± در باند فرکانسی GHz 49- 5/0 مي‌باشد. ورودی و خروجی مدار با مقاومت Ω 50 تطبیق یافته‌اند و تلفات برگشتی از ورودی و خروجی به ترتیب زیر dB 15/8- و dB 2/9- است. این مدار دارای عدد نویزی کمتر از dB 6/4 و توان مصرفی آن mW 99 از منبع تغذیه V 8/1 است. http://ijece.org/fa/Article/Download/28095