﻿<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<ArticleSet>
  <ARTICLE>
    <Journal>
      <PublisherName>مرکز منطقه ای اطلاع رسانی علوم و فناوری</PublisherName>
      <JournalTitle>فصلنامه مهندسی برق و مهندسی کامپيوتر ايران</JournalTitle>
      <ISSN>16823745</ISSN>
      <Volume>23</Volume>
      <Issue>2</Issue>
      <PubDate PubStatus="epublish">
        <Year>2025</Year>
        <Month>12</Month>
        <Day>13</Day>
      </PubDate>
    </Journal>
    <ArticleTitle>A New Active Impedance Source Inverter with Reduced Voltage Stress Across the Switches</ArticleTitle>
    <VernacularTitle>اینورتر منبع امپدانسی فعال جدید با تنش ولتاژ کاهش یافته در دو سرکلیدها</VernacularTitle>
    <FirstPage>138</FirstPage>
    <LastPage>144</LastPage>
    <ELocationID EIdType="doi" />
    <Language>fa</Language>
    <AuthorList>
      <Author>
        <FirstName>ویدا</FirstName>
        <LastName>رنجبری زاد</LastName>
        <Affiliation>دانشگاه تبریز</Affiliation>
      </Author>
      <Author>
        <FirstName>ابراهيم</FirstName>
        <LastName>بابايي</LastName>
        <Affiliation>دانشگاه تبريز</Affiliation>
      </Author>
    </AuthorList>
    <History PubStatus="received">
      <Year>2025</Year>
      <Month>1</Month>
      <Day>5</Day>
    </History>
    <Abstract>&lt;p style="direction: ltr;"&gt;In this paper, a new active impedance source inverter with low voltage stress across the elements and suitable voltage gain is proposed. This feature of the proposed inverter reduces the size, volume and cost of the structure. The proposed inverter consists of two parts: an impedance source on the input side and an H-bridge on the output side, which generates a three-level output voltage. An analysis of the operating modes and the control method applied to generate the gate pulses of the switches is presented, and the voltage gain of the proposed structure is calculated. In addition, the active and passive components of the proposed structure are designed. In the following, a comparative analysis is provided from the points of view of voltage gain, voltage stress across the switches, diodes and also the total voltage of the capacitors, along with a comparative diagram of the number of elements, between the proposed structure and several conventional impedance source structures. Finally, the proposed structure is designed in the PSCAD environment, and its results are fully analyzed, which shows the proper performance of the proposed structure and the accuracy of the obtained equations.&lt;/p&gt;</Abstract>
    <OtherAbstract Language="FA">&lt;p&gt;در این مقاله، یک اینورتر منبع امپدانسی فعال جدید با تنش ولتاژ پایین&amp;zwnj; در دو سر المان&amp;zwnj;ها و بهره ولتاژ مناسب پیشنهاد می&amp;zwnj;شود. این ویژگی اینورتر پیشنهادی باعث کاهش سایز، حجم و قیمت تمام شده ساختار می&amp;zwnj;گردد. اینورتر پیشنهاد شده از دو بخش منبع امپدانسی در سمت ورودی و پل H در سمت خروجی تشکیل شده که ولتاژ خروجی سه سطحی را ایجاد می&amp;zwnj;کند. تجزیه و تحلیل حالت&amp;zwnj;های کاری و روش کنترلی اعمال شده برای تولید پالس های گیت کلیدها ارائه&amp;zwnj; شده و بهره ولتاژ ساختار پیشنهادی محاسبه می شود. علاوه بر این، اجزای فعال و غیرفعال (اکتیو و پسیو) ساختار پیشنهادی طراحی می&amp;zwnj;گردد. در ادامه، تحلیل مقایسه&amp;zwnj;ای از نقطه&amp;zwnj;نظرهای بهره ولتاژ، تنش ولتاژ دو سر کلیدها، دیودها و همچنین مجموع ولتاژ خازن&amp;zwnj;ها به همراه نمودار مقایسه&amp;zwnj;ای مربوط به تعداد المان&amp;zwnj;ها، ما بین ساختار پیشنهادی و چند ساختار امپدانسی مرسوم، فراهم گردیده است. در آخر، ساختار پیشنهادی در محیط PSCAD طراحی شده و نتایج آن به طور کامل تحلیل می&amp;zwnj;شود که این نتایج عملکرد مناسب ساختار پیشنهادی و صحت معادلات به &amp;zwnj;دست&amp;zwnj; آمده را نشان می&amp;zwnj;دهد&lt;/p&gt;</OtherAbstract>
    <ObjectList>
      <Object Type="Keyword">
        <Param Name="Value">اینورتر منبع امپدانسی فعال، اینورتر Z-source، بهره ولتاژ، تنش ولتاژ.</Param>
      </Object>
    </ObjectList>
    <ArchiveCopySource DocType="Pdf">http://ijece.org/ar/Article/Download/49099</ArchiveCopySource>
  </ARTICLE>
</ArticleSet>