مرکز منطقه ای اطلاع رسانی علوم و فناوری فصلنامه مهندسی برق و مهندسی کامپيوتر ايران 16823745 15 3 2017 11 3 Band Engineered (Heterostructure) IMOS Device افزاره آی‌ماس با ساختار نوار مهندسی‌شده (ناهمگون) 194 200 fa حمیده گدازگر محمدكاظم مروج فرشي مرتضی فتحی پور 2017 11 3 A novel model for impact ionization metal-semiconductor (IMOS) device with an engineered bandstructure (heterostructure) has been proposed and simulated. The IMOS intrinsic, wherein the carrier generation is mainly due to impact ionization, controls the band to band tunneling. In the proposed model, it is assumed the intrinsic region to be SixGe1−x (0.5≤x≤1) whose bandgap varies linearly from that of Si at the source edge to that of Si0.5Ge0.5 at the gate edge. Maximum gap difference of ΔEG=ΔEC=0.32 eV appears at the source /intrinsic region interface. As a consequence, the probability of band to band tunneling and hence the device dark current is reduced. The numerical result shows that the breakdown voltage and the dark current for the proposed heterostructure IMOS are respectively ~0.3 V and four times smaller than those of the homojunction Si0.5Ge0.5-IMOS, with the same dimensions. الگوی جدیدی برای افزاره آی‌ماس با ساختار نوار مهندسی‌شده (ناهمگون) پیشنهاد و شبیه‌سازی شده است. با توجه به این که ناحیه ذاتی در یک آی‌ماس نقش کنترل‌کننده فرایند تونل‌زني نوار به نوار را ایفا می‌کند و ساز و کار غالب تولید حامل درون این ناحیه یونش برخوردی است، در الگوی پیشنهادی فرض شده که ماده تشکیل‌دهنده ناحیه ذاتی از جنس SixGex (1x5/0) باشد و اندازه گاف نوار آن از اندازه گاف Si در لبه‌ سورس تا گاف 5/0Ge5/0Si در لبه گیت به طور خطی تغییر کند. این امر سبب می‌شود تا بزرگ‌ترین اختلاف در گاف نوار الگوی پیشنهادی برابر eV 32/0EG=EG= در فصل مشترک سورس و ناحیه ذاتی پدیدار شود و از احتمال وقوع تونل‌زني نوار به نوار و در نتیجه از اندازه جریان خاموش بکاهد. نتایج عددی نشان می‌دهد ولتاژ شكست برای آی‌ماس ناهمگون پیشنهادی نسبت به یک ساختار آی‌ماس همگون از جنس 5/0Ge5/0Si با ابعاد مشابه، به اندازه V 3/0 و جریان خاموش آن حدود چهار برابر کاهش یافته است http://ijece.org/ar/Article/Download/28264