﻿<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<ArticleSet>
  <ARTICLE>
    <Journal>
      <PublisherName>مرکز منطقه ای اطلاع رسانی علوم و فناوری</PublisherName>
      <JournalTitle>فصلنامه مهندسی برق و مهندسی کامپيوتر ايران</JournalTitle>
      <ISSN>16823745</ISSN>
      <Volume>2</Volume>
      <Issue>1</Issue>
      <PubDate PubStatus="epublish">
        <Year>2004</Year>
        <Month>3</Month>
        <Day>21</Day>
      </PubDate>
    </Journal>
    <ArticleTitle>Equivalent Circuit Modeling of a Separate Absorption and Multiplication Avalanche Photodiode (SAM-APD)</ArticleTitle>
    <VernacularTitle>مدلسازی مداری آشکارساز نوری بهمنی با نواحی جذب و  تکثير مجزا</VernacularTitle>
    <FirstPage>15</FirstPage>
    <LastPage>23</LastPage>
    <ELocationID EIdType="doi" />
    <Language>fa</Language>
    <AuthorList>
      <Author>
        <FirstName>محمد</FirstName>
        <LastName>سروش</LastName>
        <Affiliation></Affiliation>
      </Author>
      <Author>
        <FirstName>محمدكاظم</FirstName>
        <LastName>مروج فرشی</LastName>
        <Affiliation>دانشگاه تربيت مدرس</Affiliation>
      </Author>
      <Author>
        <FirstName>عباس</FirstName>
        <LastName>ظریفکار</LastName>
        <Affiliation>مرکز تحقیقات مخابرات ایران</Affiliation>
      </Author>
    </AuthorList>
    <History PubStatus="received">
      <Year>2002</Year>
      <Month>9</Month>
      <Day>11</Day>
    </History>
    <Abstract>&lt;p&gt;Using some simplifying assumptions in a separate absorption and multiplication avalanche photodiode (SAM-APD), in this paper we develop a circuit model. Then, using this circuit model, we calculate the gain and the quantum efficiency of the device. To examine the accuracy of the device, we compare the results obtained from the model with the experimental results. A fairly good correspondence between the model an the experimental results, shows that this model is capable of predicting the device behavior, while varying different parameters such as applied bias, device size, and hence the light wavelength.&lt;/p&gt;</Abstract>
    <OtherAbstract Language="FA">&lt;p&gt;مهمترين قسمت گيرنده نوری، بخش آشکارسازی اطلاعات است. بين انواع آشکارسازها، آشکارساز نوری بهمنی (APD) به &amp;zwnj;دليل داشتن بهره جريان از اهميت ويژه&amp;zwnj;ای برخوردار است. در ساختارهای SAM-APD، برای آشکارسازی طول موج&amp;zwnj;های بلند و کاهش جريان تونلی و ولتاژ باياس، نواحی جذب فوتون وتکثير حامل از هم جدا می&amp;zwnj;شوند. با توجه به ساز و کارهای پيچيده جذب فوتون و تکثير حامل بر اثر شکست بهمنی، تحليل و پيش&amp;zwnj;بينی رفتار APD نسبتاً مشکل است. در اين مقاله با لحاظ کردن برخی فرضيات ساده&amp;zwnj;کننده، بر اساس ساز و کارهای داخل افزاره معادلات آهنگ حامل در نواحی مختلف آشکارساز را تعيين می&amp;zwnj;کنيم. با تبديل اين معادلات رياضی به روابط مداری متناظر آن، يک مدار معادل برای SAM-APD بدست می&amp;zwnj;آوريم. با مدل ارايه شده، بهره، بازده کوانتومی و جريان تاريک افزاره را بررسی می&amp;zwnj;کنيم. نتايج بدست آمده با داده&amp;zwnj;های تجربی مقايسه مي&amp;zwnj;شود. مطابقت خوب اين مدل با داده&amp;zwnj;هاي تجربي نشان مي&amp;zwnj;دهد كه اين مدل قادر است به &amp;zwnj;ازای تغيير پارامترهايی مثل ولتاژ باياس، ابعاد نواحی و طول موج نور رفتار آشکارساز را با تقريب قابل قبولی پيش&amp;zwnj;بينی کند.&lt;/p&gt;</OtherAbstract>
    <ObjectList>
      <Object Type="Keyword">
        <Param Name="Value">آشکارساز نوری بهمنیجذب فوتونشکست بهمنیمدار معادل</Param>
      </Object>
    </ObjectList>
    <ArchiveCopySource DocType="Pdf">http://ijece.org/ar/Article/Download/27825</ArchiveCopySource>
  </ARTICLE>
</ArticleSet>