﻿<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<ArticleSet>
  <ARTICLE>
    <Journal>
      <PublisherName>مرکز منطقه ای اطلاع رسانی علوم و فناوری</PublisherName>
      <JournalTitle>فصلنامه مهندسی برق و مهندسی کامپيوتر ايران</JournalTitle>
      <ISSN>16823745</ISSN>
      <Volume>11</Volume>
      <Issue>3</Issue>
      <PubDate PubStatus="epublish">
        <Year>2013</Year>
        <Month>12</Month>
        <Day>21</Day>
      </PubDate>
    </Journal>
    <ArticleTitle>Capacitor-Free CMOS Low-Dropout Regulator with a Fast Path Embedded into the Error Amplifier</ArticleTitle>
    <VernacularTitle>رگولاتور ولتاژ با افت کم CMOS بدون خازن بیرونی و با مسیر سریع جاسازی‌شده در تقویت‌کننده خطا</VernacularTitle>
    <FirstPage>105</FirstPage>
    <LastPage>111</LastPage>
    <ELocationID EIdType="doi" />
    <Language>fa</Language>
    <AuthorList>
      <Author>
        <FirstName>رسول</FirstName>
        <LastName>فتحی‌پور</LastName>
        <Affiliation></Affiliation>
      </Author>
      <Author>
        <FirstName>عليرضا</FirstName>
        <LastName>صابرکاري</LastName>
        <Affiliation></Affiliation>
      </Author>
    </AuthorList>
    <History PubStatus="received">
      <Year>2015</Year>
      <Month>11</Month>
      <Day>29</Day>
    </History>
    <Abstract>In this paper, a CMOS output-capacitor-free low-dropout regulator (LDO) is presented in which a capacitor multiplier based on a current-mode amplifier is embedded into the error amplifier to enhance the dynamic specifications to load variations, pole splitting, and simultaneously power saving. The proposed LDO topology is designed and simulated in HSPICE in a 0.35 µm CMOS process to provide a 1.8 V output voltage with a 200 mV dropout for a wide range output current between 0-100 mA while its quiescent current is 22 µA. In order to have a fair conclusion, the article reveals a FOM-based comparison with other reported designs.</Abstract>
    <OtherAbstract Language="FA">در این مقاله یک رگولاتور ولتاژ با افت کم (LDO) بدون نیاز به خازن بیرونی ارائه شده که در آن به منظور صرفه‌جویی در مصرف توان، ایجاد مسیر سریع برای ارتقای عملکرد دینامیکی در برابر تغییرات گذرای بار و ایجاد فاصله بین قطب‌های مدار یک ضرب‌کننده خازنی بر پایه تقویت‌کننده جریان در داخل تقویت‌کننده خطا جاسازی شده است. رگولاتور LDO پیشنهادی در تکنولوژی µm 35/0 CMOS برای ایجاد ولتاژ خروجی V 8/1 به ازای افت ولتاژ mV 200 طراحی شده و قابلیت جریان‌دهی به محدوده وسیعی از بار بین 0 تا mA 100 را به ازای جریان خاموشی µA 22 دارد. برای انجام یک مقایسه منصفانه، تعدادی از LDOهای گزارش‌شده قبلی نیز توسط HSPICE و با به کارگیری مقادیر گزارش‌شده در خود مراجع شبیه‌سازی شده‌اند. نتایج شبیه‌سازی و مقایسه بر پایه عدد شایستگی (FOM) نشان‌دهنده بهبود مشخصات LDO پیشنهادی است.</OtherAbstract>
    <ObjectList>
      <Object Type="Keyword">
        <Param Name="Value">تقویت‌کننده خطا
رگولاتور ولتاژ با افت کم
ضرب‌کننده خازنی
مسیر سریع</Param>
      </Object>
    </ObjectList>
    <ArchiveCopySource DocType="Pdf">http://ijece.org/fa/Article/Download/28065</ArchiveCopySource>
  </ARTICLE>
</ArticleSet>